ⅣA族砷化物X3As4光学性质的第一性原理研究
来源:互联网 admin | 段国玉 鹤壁职业技术学院
摘 要: 基于第一性原理,对赝立方结构IV族砷化物X3As4(X=Si、Ge、Sn)的电子结构、光学性质进行了理论研究。结果表明:X3As4具有间接带隙型能带结构;Si3As4、Ge3As4、Sn3As4的间接带隙能分别为0.1eV,0.25eV,0.54eV。根据费米面附近的态密度分布,IVA族元素的np电子轨道与As的4p电子轨道发生杂化;X-As的结合具有很强的共价特性。在光学性质方面,计算了X3As4的光学常数 、能量损失谱等。X3As4在可见光波长范围内有明显吸收,这与p电子在费米面附近的
【分 类】 基础科学
【关 键 词】 X3As4,赝立方结构,能带结构,电子态密度,光学性质
【来 源】 互联网
【收 录】 中国学术期刊网